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EXICON ECW20P20 Transistor MOSFET soldes

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Description

Exicon ECW20P20

Transistor MOSFET

Les MOSFETS Exicon ont été conçus spécifiquement pour une utilisation linéaire à haute puissance. Ils offrent une capacité de haute tension, une vitesse de balayage élevée et une faible distorsion, ce qui en fait le choix idéal pour la conception d’amplificateurs audio. Leur stabilité de fonctionnement et thermique les rend extrêmement fiables et supprime la nécessité d’un circuit de protection. Ces avantages, associés à une large bande passante, à de faibles exigences en matière d’énergie et à la facilité de mise en parallèle permettent la construction aisée d’amplificateurs robustes, dotés d’excellentes caractéristiques sonores.

Le ECW10P20 possède des performances de qualité :

  • Spécifiquement conçu pour les applications d’amplification audio.
  • Conductivité thermique élevée.
  • Excellentes caractéristiques de fréquence.
  • Diode de protection intégrée.
  • Absence de concentration de courant, pour une résistance élevée à la destruction électrique.
  • Caractéristiques thermiques protégeant contre les courts-circuits et l’emballement thermique.
  • Complémentaire au modèle ECW20N20

Caractéristiques techniques

Spécifications
Type de produit MOSFET
Nombre de contacts 3
Package TO 264
Valeurs maximum (Tc = 25°C)
Tension drain-source (Vdss) -200V
Tension grille-source (Vgss) +/-14V
Courant drain continu (Id) -16A
Courant d’attaque (Idr) -16A
Dissipation de puissance permise * Tcase=25°C (Pd) 250W
Température canaux (Tch) 150°C
Plage de température de stockage (Tstg) -55°C à 150°C
Caractéristiques électriques (TC = 25°C)
Symbole Paramètres Conditions de test Min. Typ. Max.
BVdsx Tension de rupture drain-source Vgs = 10V
Id = -10mA
-200V
Vgs(off) Tension de coupure grille-source Vds = 10V
Id = -100mA
-0.1V -1.5V
Vds(sat) Tension de saturation drain-source Vgd = 0
Id = -16A
-12V
Idsx Courant de coupure drain-source Vgs = -10V
Vds = -200V
-10mA
Caractéristiques dynamiques
Symbole Paramètres Conditions de test Min. Typ. Max.
Ciss Capacitance d’entrée Vgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz 1850pF
Coss Capacitance de sortie Vgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz 850pF
Crss Capacitance de transfert inverse Vgs = 0 / Vds =-10v / F=1.0MHz 55pF
Ton Turn-on time Vds = -20V / Id = 7A 150ns
Toff Turn-off time Vds = -20V / Id = 7A 105ns

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EXICON ECW20P20

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